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鎧俠（Kioxia）宣布，這個月已開始啟用兩個新的研發(fā)設施，分別是位于橫濱技術園區(qū)旗艦大樓，以及Shin-Koyasu前沿技術中心。鎧俠表示，未來日本神奈川縣的其他研發(fā)職能部門將搬遷到新的研發(fā)中心，以提高研究效率，進一步促進技術的創(chuàng)新和發(fā)展。

隨著新建旗艦大樓的加入，鎧俠在橫濱技術園區(qū)的規(guī)模擴大了近一倍，這能讓其更好地對NAND閃存和SSD產品進行評估，從而提高整體的產品開發(fā)和產品質量。旗艦大樓配備了環(huán)保設施，而且還獲得了ZEB-Ready（準凈零能耗）認證，意味著通過提高能源效率，將能源消耗減少50%或以上。

Shin-Koyasu前沿技術中心主要展開半導體領域廣泛的尖端基礎研究，涉及新材料、新工藝和新器件，擁有最先進的潔凈室和環(huán)保設計。鎧俠首席技術官Masaki Momodomi表示，建造兩個新的研發(fā)設施以后，鎧俠將加快和深化研發(fā)工作，以提供支持未來數字社會的產品、服務和技術。

鎧俠還與大學、科研機構和其他公司合作，除了下一代存儲技術外，還在推進多個領域的研發(fā)，包括面向以數據為中心的計算系統(tǒng)技術和人工智能等數字化轉型。